"Ангстрем" заключил трехстороннее российско-японо-китайское соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов на основе карбида кремния (SiC)
Соглашение предусматривает постановку на АО "Ангстрем" производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии SiC. Её использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.