Предприятие "Швабе" стало лауреатом конкурса Лазерной ассоциации

Предприятие "Швабе" удостоено диплома I степени в конкурсе Лазерной ассоциации (ЛАС), который состоялся в рамках 12-й международной специализированной выставки лазерной, оптической и оптоэлектронной техники "ФОТОНИКА. Мир лазеров и оптики". Организация Холдинга получила награду в номинации "Лазерные информационные системы" за модификацию лазерного гироскопа.

Лауреатом конкурса ЛАС-2017 стал коллектив предприятия Холдинга "Швабе" - Научно-исследовательского института "Полюс" (НИИ "Полюс"). В своей работе сотрудники НИИ "Полюс" описали процедуру модификации лазерного гироскопа на базе новых лазерных датчиков угловой скорости, обладающих повышенными точностными и эксплуатационными характеристиками.

"Лазерный гироскоп применяется в навигационных системах кораблей и самолетов и отвечает за определение угла поворота и скорости вращения объекта. Модификация, проведенная специалистами "Полюса", позволит на 15% повысить точность работы систем навигации воздушного или водного судна. Запуск усовершенствованного прибора в производственный процесс запланирован на предприятии во втором квартале 2017 года", - рассказал первый заместитель генерального директора "Швабе" Сергей Попов.

НИИ "Полюс" является многократным лауреатом данного конкурса. Первый диплом ЛАС предприятию был вручен в 2008 году за разработку нового поколения унифицированных модулей мощных полупроводниковых лазеров. Престижной награды в области фотоники организация Холдинга была также удостоена за разработку: волоконно-оптического комплекса для передачи информации с датчиков системы наземных измерений космических ракетных установок класса "Ангара 1.2" (2014 год), датчика контроля скорости "Лазерный мобильный ЛУЧ-М" (2015) и других изделий.

НИИ "Полюс" является крупнейшим в России научно-производственным центром в области квантовой электроники и лазерной технологии, обладающим многими уникальными базовыми технологиями, в том числе выращиванием высокотемпературных активных и нелинейных лазерных кристаллов; формированием многослойных (до 1000 квантово-размерных слоев) структур соединений А3В5 для полупроводниковых гетеролазеров и фотоприемников методом газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений и гидридов; формированием многослойных диэлектрических покрытий методом ионно-лучевого испарения.
Источник информации
Пресс-служба "Швабе"
Компании
Опубликовано 28.03.2017