22 апреля 2013 года Совет по грантам Правительства Российской Федерации для государственной поддержки научных исследований определил имена 42 учёных – победителей третьего открытого конкурса на получение грантов Правительства Российской Федерации для государственной поддержки научных исследований, проводимых под руководством ведущих учёных в российских образовательных учреждениях высшего профессионального образования, научных учреждениях государственных академий наук и государственных научных центрах Российской Федерации. Заявка МГТУ "СТАНКИН" и ведущего ученого из Испании Рамона Сан Миллана Торресильяса одержала победу в области наук "Механика и машиностроение". Теперь под руководством ведущего ученого из Испании в течение 2013-2015 гг. в нашем университете будет создана новая Лаборатория технологий искрового плазменного спекания, в которой будет реализован проект "Разработка инновационных искровых плазменных технологий спекания для создания нового класса нанокомпозитных материалов машиностроительного применения".

Перед Советом по грантам стояла чрезвычайно сложная задача, так как в 2013 году на конкурс было подано рекордное количество заявок – 720, из которых 576 заявок от вузов и 144 заявки от научных организаций. Напомним, что в третьем конкурсе впервые могли принимать участие кроме российских вузов и научные учреждения государственных академий наук, а также государственные научные центры России. В конкурсе принимали участие ведущие учёные более чем из 40 стран, в том числе: Австралии, Австрии, Белоруссии, Бельгии, Болгарии, Бразилии, Великобритании, Венгрии, Германии, Дании, Израиля, Ирландии, Испании, Италии, Канады, Китая, России, США, Украины, Франции, Финляндии, Чехии, Швейцарии, Швеции, Японии и др.

Советом по грантам была проведена многоэтапная комплексная оценка представленных научных проектов и с учётом результатов международной экспертизы составлен рейтинг заявок и определены 42 победителя. Среди победителей 19 учёных имеют российское гражданство (из них 9 имеют двойное гражданство). Среди зарубежных учёных 6 имеют гражданство США; 3 – граждане Японии; по 2 – граждан ФРГ, Испании, Италии, Белоруссии; по 1 – граждан Австралии, Израиля, Ирландии, Канады, Нидерландов, Франции.

В соответствии с конкурсной заявкой, на проведение научных исследований под руководством испанского ведущего ученого в 2013-2015 гг. МГТУ "СТАНКИН" получит из федерального бюджета 90 миллионов рублей. При этом ведущий ученый будет осуществлять очное руководство исследованиями в университете не менее 3 месяцев в 2013 году, не менее 4 месяцев в 2014 году и не менее 4 месяцев в 2015 году.

Краткая справка о ведущем ученом и направлении исследования:

Рамон Сан Миллан Торресильяс, родился 30 августа 1963 года, гражданство - Испания.

В настоящее время является Директором и профессором Центра исследований наноматериалов и нанотехнологий (CINN) Испанского национального исследовательского совета (CSIC).

Автор более 300 научных трудов. Имеет индекс научного цитирования 18 баллов (по базе данных SCOPUS) и 17 баллов (по базе данных "Web of Science").

В 1996 году получил степень Доктора (PhD) в области Материаловедения и машиностроения в Национальном институте прикладных наук (INSA), Лион, Франция.

В 1990 году получил степень Доктора (PhD) в области Физики в Испанском национальном исследовательском совете, CSIC, Мадрид, Испания.

В 1986 году защитил магистерскую диссертацию в университете г. Сарагоса, Испания.

Под руководством ведущего учёного профессора Рамона Торресильяса в МГТУ "СТАНКИН" будет создана Лаборатория технологий искрового плазменного спекания (Лаборатория LECAST), где будут проводиться научно-исследовательские работы по получению различных изделий с повышенными эксплуатационными свойствами с использованием метода и технологий искро-плазменного спекания наноструктурированных материалов.

На сегодняшний день профессор Рамон Торресильяс основал и в настоящее время возглавляет Центр исследований наноматериалов и нанотехнологий (CINN) при Испанском национальном исследовательском совете (CSIC) (аналог отечественного РФФИ), где данные технологии уже освоены и используется при производстве керамики машиностроительного назначения с улучшенными свойствами. Профессор Рамон Торресильяс ориентирует свои научные исследования на нужды промышленности, где внедряет инновационные результаты исследований. На сегодняшний день результаты работ, возглавляемого им Центра исследований наноматериалов и нанотехнологий, внедрены более чем на 40 промышленных предприятиях по всему миру.

Технология искро-плазменного спекания (SPS – spark plasma sintering) представляет собой спекание исходного порошкообразного материала под действием механического усилия (10-100 тонн) и импульсов тока (до 60000А). Исходный материал размещается в матрице из графита, помещаемой под пресс в вакуумной камере. Электроды, интегрированные в механическую часть пресса, подводят электрический ток к матрице и создают искровые разряды между спекаемыми частицами материала, обеспечивая интенсивное взаимодействие. Цикл температуры и давления, обеспечиваемый установкой, создаёт условия для получения 100% плотной детали из разнородных материалов: металлов и сплавов, карбидной, нитридной и оксидной керамики в любой пропорции.

Напомним, что это уже не первая победа нашего университета в рамках Постановления Правительства РФ №220. Так, в 2011 году по результатам второго конкурса на получение грантов Правительства Российской Федерации, как и в этом году в условиях жесточайшей конкуренции, победу одержал проект МГТУ "СТАНКИН" по созданию лаборатории инновационных аддитивных технологий под руководством ведущего ученого Смурова Игоря Юрьевича.

Вне всякого сомнения, новый проект "Разработка инновационных искровых плазменных технологий спекания для создания нового класса нанокомпозитных материалов машиностроительного применения" под руководством ведущего ученого из Испании Рамона Сан Миллана Торресильяса является для МГТУ "СТАНКИН" чрезвычайно перспективным и в течение ближайших лет позволит создать и развить в университете новое научное направление и сформировать соответствующий научно-педагогический коллектив.